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一、光刻工艺的原理是什么
光刻工艺是利用类似照相制版的原理，在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术。也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面，再经过蚀刻工艺去除无用部分，所剩就是电路本身了。光刻工艺的流程中有制版、硅片氧化、涂胶、曝光、显影、腐蚀、去胶等。
光刻是制作半导体器件和集成电路的关键工艺。自20世纪60年代以来，都是用带有图形的掩膜覆盖在被加工的半导体芯片表面，制作出半导体器件的不同工作区。随着集成电路所包含的器件越来越多，要求单个器件尺寸及其间隔越来越小，所以常以光刻所能分辨的最小线条宽度来标志集成电路的工艺水平。国际上较先进的集成电路生产线是1微米线，即光刻的分辨线宽为1微米。日本两家公司成功地应用加速器所产生的同步辐射X射线进行投影式光刻，制成了线宽为0.1微米的微细布线，使光刻技术达到新的水平。
二、新年员工工作总结范文程
新员工年终工作总结（范文）： 20xx年是我人生历程中独具特殊好处的一年，在结束多年的求学生涯后，走出校园，进入社会，获得了我的第一份正式工作，我十分荣幸获得进入四十七所工作的机会。
作为一名微电子学与固体电子学专业毕业的学生，进入四十七所工作是我一向以来的目标。下面是我对这半年来工作进行的总结： 一、岗前培训 在校园时，半导体生产知识大多数来源于书本和老师的传授；进入四十七所工作，一套完整的半导体生产线呈此刻我的面前，进入芯片加工中心工作，使我有机会切身实际地接触到半导体生产，有效地将理论与实际联系起来。
7月中旬我入所报道，四十七所十分贴心的为非本地工作人员带给了职工宿舍，让身在外地的我心里十分温暖。在报道结束后，我所对今年新入职的职工进行了系统的专业岗位培训和职业规划培训，使我更快的摆脱初出校园的青涩，快速进入到科研工作者这个新的主角中来。
在为期一周的培训后，我所还为新入职职工安排了为期一周的*事拓展训练。在炮兵学院我们二十一名新入职员工共同努力训练，团结协作，共克难关完成了一项又一项艰难的任务，使我们这个来自于不同部门的新员工组成的小团体日渐凝聚，不断默契。
这种默契与凝聚为我们日后工作中的协调配合打下了坚实的基础。*事拓展训练虽然苦、累，但是使我们得到了快速的成长，对我们好处深远。
结束*事拓展训练后，我所为新入所员工安排了轮岗实习，每一名新员工轮流到其它非本职部门进行实习实践，这种安排是十分有好处的，轮岗使我们的视野不仅仅仅局限于本职工作范围，与入所培训相结合，使我对完整的半导体生产过程有了详略的了解。 二、腐蚀工序工作 结束为期三周的轮岗实习，我回到我的本职部门——芯片加工中心。
芯片加工中心的工作是半导体生产的重中之重，在那里我们将一个个虚拟的电路或者器件的设计图转化到实际的硅片上，可谓是从无到有。 来到芯片加工中心这个大家庭，我深刻体会到了部门领导和岗位前辈的热切关心。
我被分配到腐蚀工序，跟随马洪江师傅学习腐蚀工序的生产工作。 腐蚀工序与光刻工序紧密相关，在半导体生产中光刻将掩膜版图形用光刻胶层体现出来，我们腐蚀工序而是将这设计图形实际地体此刻硅片上。
透过干法或是湿法腐蚀操作将剩余的介质、金属层去除，真正实现图形由虚到实的转化。 在这几个月的生产操作实习中，我先后熟悉并掌握了各种腐蚀操作方法，包括：干、湿法去除光刻胶，BOE去除SiO2层，湿法去除金属铝层，LAM-490干法刻蚀多晶，AME8310干法刻蚀介质层，AME8330干法刻蚀金属铝层以及各种腐蚀液的配制和使用。
此刻我已初步具备独立完成各种腐蚀操作的潜力，我能有此刻的成绩除了自身的虚心努力工作外，更离不开本工序前辈们的虚心指导，在那里我要向腐蚀工序的各位前辈们表示感谢。 三、20xx年展望 在即将到来的20xx年，作为一位新人，我将继续勤恳踏实地在芯片加工中心完成我的本职工作，进一步将校园学习的微电子专业知识与实际生产结合起来，开拓进取，努力创新，实现我与部门的共同成长。
工作总结的“总”、“结”其实是两个步骤：工作汇总、结果展示，这两步缺一不可，任何一步没有做好，都没办法输出一份漂亮的工作总结。 工作汇总是对自己过去的工作进行一个总体梳理，目的是为了对自己的工作有一个结构清晰、主次分明的认知，因为如果连自己都不清楚这些，老板更不可能对你有更准确的评估。
结果展示首先是结论先行，但光有结论还不足以充分体现个人工作能力，还需要知道如何更全面地呈现你是如何创造这些价值的。
三、光刻技术是什麽
光刻技术 集成电路">集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。
随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2~3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0。 1埃数量级范围。
光刻技术成为一种精密的微细加工技术。 常规光刻技术是采用波长为2000~4500埃的紫外光作为图像信息载体，以光致抗蚀剂为中间（图像记录）媒介实现图形的变换、转移和处理，最终把图像信息传递到晶片（主要指硅片）或介质层上的一种工艺（图1）。
在广义上，它包括光复印和刻蚀工艺两个主要方面。 ①光复印工艺：经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置，精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上。
②刻蚀工艺：利用化学或物理方法，将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去，从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。 集成电路各功能层是立体重叠的，因而光刻工艺总是多次反复进行。
例如，大规模集成电路要经过约10次光刻才能完成各层图形的全部传递 在狭义上，光刻工艺仅指光复印工艺，即图1中从④到⑤或从③到⑤的工艺过程。光复印工艺的主要流程如图2。
曝光方式 常用的曝光方式分类如下： 接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。 接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产效率高等特点。
但容易损伤和沾污掩模版和晶片上的感光胶涂层，影响成品率和掩模版寿命，对准精度的提高也受到较多的限制。一般认为，接触式曝光只适于分立元件和中、小规模集成电路的生产。
非接触式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系统中，掩膜图形经光学系统成像在感光层上，掩模与晶片上的感光胶层不接触，不会引起损伤和沾污，成品率较高，对准精度也高，能满足高集成度器件和电路生产的要求。
但投影曝光设备复杂，技术难度高，因而不适于低档产品的生产。 现代应用最广的是 1:1倍的全反射扫描曝光系统和x:1倍的在硅片上直接分步重复曝光系统。
直接分步重复曝光系统 （DSW） 超大规模集成电路需要有高分辨率、高套刻精度和大直径晶片加工。直接分步重复曝光系统是为适应这些相互制约的要求而发展起来的光学曝光系统。
主要技术特点是：①采用像面分割原理，以覆盖最大芯片面积的单次曝光区作为最小成像单元，从而为获得高分辨率的光学系统创造条件。②采用精密的定位控制技术和自动对准技术进行重复曝光，以组合方式实现大面积图像传递，从而满足晶片直径不断增大的实际要求。
③缩短图像传递链，减少工艺上造成的缺陷和误差，可获得很高的成品率。 ④采用精密自动调焦技术，避免高温工艺引起的晶片变形对成像质量的影响。
⑤采用原版自动选择机构（版库），不但有利于成品率的提高，而且成为能灵活生产多电路组合的常规曝光系统。这种系统属于精密复杂的光、机、电综合系统。
它在光学系统上分为两类。一类是全折射式成像系统，多采用1/5~1/10的缩小倍率，技术较成熟；一类是1:1倍的折射-反射系统，光路简 单，对使用条件要求较低。
光致抗蚀剂 简称光刻胶或抗蚀剂，指光照后能改变抗蚀能力的高分子化合物。光蚀剂分为两大类。
①正性光致抗蚀剂：受光照部分发生降解反应而能为显影液所溶解。留下的非曝光部分的图形与掩模版一致。
正性抗蚀剂具有分辨率高、对驻波效应不敏感、曝光容限大、针孔密度低和无毒性等优点，适合于高集成度器件的生产。 ②负性光致抗蚀剂：受光照部分产生交链反应而成为不溶物，非曝光部分被显影液溶解，获得的图形与掩模版图形互补。
负性抗蚀剂的附着力强、灵敏度高、显影条件要求不严，适于低集成度的器件的生产。 半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求，在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。
光刻曝光的常用波长是3650~4358 埃，预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理，允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长，此时可达到的实用分辨率约为0。
5~0。7微米。
微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外，对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。 因此，工艺过程的自动化和数学模型化是两个重要的研究方向。